北京理工大学无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统采购更正公告

一、项目基本情况

原公告的采购项目编号：GXTC-A*-*　　　　　　

原公告的采购项目名称：北京理工大学无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统采购公开招标公告　　　　　　

首次公告日期：*年*月0*日　　　　　　

二、更正信息

更正事项：采购公告

更正内容：

*、原招标公告中附件中“主要技术要求”：

附件：

主要技术要求

无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统主要包括设备如下：

无掩膜高深比切割与检测设备*台：该设备能够实现高深宽比的加工，根据需要快速调整加工图案，适应不同的加工需求。此外该设备无需掩膜版，因此减少了掩膜版的制作和更换成本，实现小批量、多品种的快速加工。

离子增强刻蚀设备*台：通过化学反应或物理方法去除硅基材料，以形成深沟槽或高深宽比结构的工艺设备。其基于化学反应刻蚀或高能离子束刻蚀，通过化学反应生成挥发性物质，从而去除硅基材料。而在高能离子束刻蚀中，则利用离子束对硅片进行轰击，使硅片表面的原子被剥离，形成所需的结构。

注：其他技术要求详见招标文件

现更正为：

附件：

主要技术要求

无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统主要包括设备如下：

无掩膜高深比切割与检测设备*台：该设备能够实现高深宽比的加工，根据需要快速调整加工图案，适应不同的加工需求。此外该设备无需掩膜版，因此减少了掩膜版的制作和更换成本，实现小批量、多品种的快速加工。

离子增强刻蚀设备*台：通过化学反应或物理方法去除硅基材料，以形成深沟槽或高深宽比结构的工艺设备。其基于化学反应刻蚀或高能离子束刻蚀，通过化学反应生成挥发性物质，从而去除硅基材料。而在高能离子束刻蚀中，则利用离子束对硅片进行轰击，使硅片表面的原子被剥离，形成所需的结构。

（一）无掩膜高深比切割与检测设备

*. #最大峰值刻蚀功率≥*w。

*. 平均刻蚀功率≥*w。

*. #平台测试定位精度：不高于± 0.*μm。

*. 需要包含惰性气体保护系统。

*. 刻蚀速度范围包括*~*μm/min。

*. 光学放大倍率范围包括*~*倍。

*. 精密测量模块定位精度：不高于± 0.*μm。

*. 直线度：不高于± 0.*μm。

*. #测量行程≥* mm。

*. 输出频率包括0~*Mhz。

*. #输出通道≥*。

*. 上升/下降时间≤* ns。

*. 测试波长范围包括*~*nm。

*. 相位分辨率≤* nm。

*. 具有高速Hyperwire光纤通讯接口。

*. 支持.Net及C++等编程语言二次开发。

*. ★最大刻蚀深度≥* mm。

（二）离子增强刻蚀设备

*.晶圆大小：四英寸。

*.工艺腔内径≤*mm，内壁需要经耐腐氧化处理。

*.工艺腔内壁需要带有内衬，内衬表面需要经耐腐氧化处理。

*.工艺腔内壁加热范围应包括*~*℃。

*.上功率源功率范围应包含*~*W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。

*.上功率源需要支持固定匹配点运行，允许反射功率在*%设定功率值的情况下连续运行。

*.#上功率两路输出，调节等离子体分布。

*.#采用立体等离子体源，石英耦合窗，使用立体螺旋功率耦合天线，支持远等离子体技术。

*.#载片台直径不小于*mm。

*.下功率源功率范围应包含0~*W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。

*.#下功率源支持固定匹配点运行，允许反射功率在*%设定功率值的情况下连续运行。

*.可控制基片表面温度，控温范围为-*℃~*℃。

*.真空系统分子泵抽速≥*L/s。

*.#工艺腔本底极限真空度达到*E-*Pa以上。

*.气体配置包含如下气体管路：Ar、O_*、CHF_*、CF_*、SF_*、C*F_*。

*.#采用质量流量计（MFC）控制气体流量，MFC支持更改气体种类与气体量程。

*.★最大刻蚀深度大于*um。

注：其他技术要求详见招标文件

*、原招标公告中附件中“*.采购人信息”：

联系方式：张老师

联系电话：0*-*

现更正为：

联系方式：林老师

联系电话：0*-*

招标公告其他内容不变

更正日期：*年*月0*日　

三、其他补充事宜

无

四、凡对本次公告内容提出询问，请按以下方式联系。

*.采购人信息

名 称：北京理工大学　　　　　

地址：北京市海淀区中关村南大街*号　　　　　　　　

联系方式：林老师 0*-*　　　　　　

*.采购代理机构信息

名 称：国信国际工程咨询集团股份有限公司　　　　　　　　　　　　

地　址：北京市丰台区丰葆路*号院国信招标　　　　　　　　　　　　

联系方式：张女士*　　　　　　　　　　　　

*.项目联系方式

项目联系人：张女士

电　话：　　*